Мощные GaN транзисторы





     

Транзисторы имеют характеристики соответствующие мировому уровню. Предназначены для использования в радиолокации и радиосвязи, имеют высокую надежность. Возможно изготовление транзисторов в керамическом корпусе с внутренними согласующими цепями. 

 Транзистор выпускается по программе импортозамещения.

 Поставка тестовых образцов по запросу!

 


Модель

транзистора

(datasheet)

Частота

верхняя

(ГГц)

Максимальная выходная СВЧ мощность

(Вт)

Максимальное усиление на частоте 10 ГГц, дБ

КПД, не менее

(%)

Напряжение питания

(В)

Размер

кристалла

(мм)

Тип

согласования

RT10

18 ГГц

5

15-20

42

28

0,54х1

Внешнее

RT20

18 ГГц

10

15-20

42

28

0,54х1,4

Внешнее

RT30

18 ГГц

15

15-20

42

28

0,54х2,8

Внешнее

RT70

18 ГГц

35

15-20

42

28

0,54х3,7

Внешнее

RT802P

6 ГГц

75

-

42

28

Корпусированный

Внешнее


проектирование фазированной антенной решётки разработка фазированной антенной решётки изготовление фазированной антенной решётки антенны с электрическим сканированием антенны миллиметрового диапазона< фазовращатель проектирование фазовращателей разработка фазовращателей изготовление фазовращателей многолучевые антенны дискретный фазовращатель Управляемые фазовращатели мощные фазовращатели аналоговые фазовращатели изготовление антенн мощные GaN транзисторы транзистор усилитель СВЧ нитрид галлия транзистор на нитриде галлия разработка антенн цифровые фазовращатели диаграмма направленности ФАР АФАР wimax антенна адаптивные антенны рупорная антенна Фазированная решетка digital phase shifter phase shifter active phased array antennas phased array antennas